南京将成全国最重要集成电路产业之城
南报网 2017-02-13 07:25南报网讯（记者 张希） 制造业是昨天活动的重点推进主题。在全省集中开工的制造业大项目中，最亮眼的一颗“明珠”莫过于落户浦滨路88号、总投资达300亿美元的紫光南京半导体产业基地和总投资300亿元的紫光IC国际城项目。两个项目的投资主体均为紫光集团有限公司。该项目投资强度居中国集成电路行业单体投资前列，未来将产生巨大的虹吸效应，推动南京成为全国最重要的集成电路产业城市。紫光南京半导体产业基地主要产品为3D—NAND FLASH存储芯片和DRAM内存芯片，一期占地约700亩，二期占地约800亩。IC国际城配套国际社区，占地约1600亩，包含IC国际城研发园、科技园、设计封装测试基地、国际学校（拟引入清华附中分校，建设从幼儿园到高中的国际学校）、商业、住宅等综合配套设施。项目建设周期为2017年到2019年。
紫光南京半导体产业基地一期正式达产后，将月产10万片，预计年产值达48亿美元；二期正式达产后，月产20万片，预计年产值达100亿美元。IC国际城规划可容纳1万人左右。
市发改委人士表示，紫光集团有限公司投资的这两个项目，既有制造、研发，又有国际学校、人才公寓等配套，体现了“产城融合”的概念。紫光项目和去年落户、总投资30亿美元的台积电项目又形成互补配套，将直接推动南京集成电路产业做大做强。
清华紫光集团董事长赵伟国说，南京科技人才荟萃，是中国高科技产业和中国集成电路产业的重要基地，南京市政府推动创新发展、服务诚恳细致，促使他们选择了南京。他认为，紫光南京基地的加入，将推动南京跃居为全国最重要的集成电路产业城市。
东南大学教授、国家半导体工程中心主任、省产业研究院半导体专业研究所所长时龙兴评价，集成电路产业关乎国家竞争力和国家安全，紫光在南京建设基地，引进国内还不具备完全研发和生产能力的3D—NAND FLASH存储芯片和DRAM内存芯片，将有力推动中国这两个关键的集成电路元器件研发、生产水平的提高，打破存储器芯片的国外垄断。同时可以预测，该项目未来必将带动上下游相关配套产业、人才在南京集聚，同时给南京高校的集成电路研究、人才培养提供新一轮机遇。
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